Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 9 A, 550 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 IPN50R650CEATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่าย
RS จะไม่สต็อกสินค้านี้อีกต่อไป
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
130-0914
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPN50R650CEATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

550V

Series

CoolMOS CE

Package Type

SOT-223

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

650mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15nC

Forward Voltage Vf

0.83V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.7mm

Standards/Approvals

No

Height

1.7mm

Width

3.7 mm

Automotive Standard

No

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง