IXYS Linear L2 Type N-Channel MOSFET, 178 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXTN200N10L2
- RS Stock No.:
- 125-8048
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXTN200N10L2
- ผู้ผลิต:
- IXYS
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB1,723.54
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,844.19
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 23 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 2 | THB1,723.54 |
| 3 - 4 | THB1,680.44 |
| 5 + | THB1,654.59 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 125-8048
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXTN200N10L2
- ผู้ผลิต:
- IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 178A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | SOT-227 | |
| Series | Linear L2 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 11mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 540nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.4V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 830W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 25.07 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 38.23mm | |
| Height | 9.6mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 178A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type SOT-227 | ||
Series Linear L2 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 11mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 540nC | ||
Forward Voltage Vf 1.4V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 830W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 25.07 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 38.23mm | ||
Height 9.6mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
N-Channel Power MOSFET, IXYS Linear Series
N-Channel Power MOSFETs designed specifically for linear operation. These devices feature extended Forward Bias Safe Operating Area (FBSOA) for increased ruggedness and reliability.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- IXYS Linear L2 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227
- IXYS Linear Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 4-Pin SOT-227
- IXYS Linear Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 4-Pin SOT-227
- IXYS Linear Type N-Channel MOSFET 1 kV Enhancement, 4-Pin SOT-227
- IXYS Linear Type N-Channel MOSFET 1 kV Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXTN22N100L
- IXYS Linear Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXTN46N50L
- IXYS Linear Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXTN62N50L
- IXYS Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 4-Pin SOT-227
