Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 343 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRLB3034PBF
- RS Stock No.:
- 124-9024
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLB3034PBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB3,797.65
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB4,063.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 100 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB75.953 | THB3,797.65 |
| 100 - 150 | THB74.302 | THB3,715.10 |
| 200 + | THB72.65 | THB3,632.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 124-9024
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLB3034PBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 343A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 108nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 375W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 4.83 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 9.02mm | |
| Length | 10.67mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 343A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 108nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 375W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 4.83 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 9.02mm | ||
Length 10.67mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MX
Infineon HEXFET Series MOSFET, 343A Maximum Continuous Drain Current, 40V Maximum Drain Source Voltage - IRLB3034PBF
This high-performance MOSFET is designed for demanding applications in automation and electronics. With an enhancement mode configuration and a maximum drain-source voltage of 40V, it ensures reliable operation in various conditions. The TO-220AB package type facilitates easy mounting, making it suitable for various designs. Its compact dimensions of 10.67mm in length, 4.83mm in width, and 9.02mm in height further enhance its versatility.
Features & Benefits
• Capable of handling a maximum continuous drain current of 343A
• Optimised for logic level drive for simplified control
• Designed for high-speed power switching requirements
• Wide operating temperature range from -55°C to +175°C
• Superior gate threshold of 1V to 2.5V benefits low voltage operations
Applications
• Ideal for DC motor drive systems
• Utilised in high efficiency synchronous rectification setups
• Suitable for uninterruptible power supplies
• Effective in hard switched and high-frequency circuits
What are the maximum power dissipation capabilities of this component?
The device can dissipate up to 375W under optimal conditions, allowing it to manage significant heat loads in demanding applications.
How does the low RDS(on) contribute to performance?
The low on-resistance of 2mΩ reduces energy losses, enabling higher efficiency and cooler operation, essential for high current applications.
Can this MOSFET be used in automation systems?
Yes, due to its high current capacity and reliable switching performance, it is well-suited for various automation applications, enhancing efficiency and control.
What mounting options does this component offer?
It employs a through-hole mounting type, simplifying integration into various circuit designs while ensuring secure connections.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRLS3034TRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF2204PBF
