onsemi UltraFET N-Channel MOSFET, 10.6 A, 60 V Enhancement, 8-Pin MLP FDMS5672

RS Stock No.:: 124-1701
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDMS5672
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi UltraFET N-Channel MOSFET, 10.6 A, 60 V Enhancement, 8-Pin MLP FDMS5672

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 6000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB226,413.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB242,262.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 ตุลาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*	การประหยัด
3000 - 3000	THB75.471	THB226,413.00	-
6000 - 9000	THB73.207	THB219,621.00	2%
12000 +	THB71.01	THB213,030.00	5%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 124-1701
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDMS5672
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	10.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	UltraFET
	Package Type	MLP
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	12mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	32nC
	Maximum Power Dissipation Pd	2.5W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	6mm
	Length	5mm
	Standards/Approvals	No
	Height	750μm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 10.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series UltraFET
	Package Type MLP
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 12mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 32nC
	Maximum Power Dissipation Pd 2.5W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 6mm
	Length 5mm
	Standards/Approvals No
	Height 750μm
	Automotive Standard No

UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor

UItraFET® Trench MOSFET combine characteristics that enable Benchmark efficiency in power conversion applications. The device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode, and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. Optimised for efficiency at high frequencies, lowest RDS(on), low ESR, and low total and Miller gate charge.

Applications in high frequency DC to DC converters, switching regulators, motor drivers, low-voltage bus switches, and power management.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

onsemi UltraFET N-Channel MOSFET, 10.6 A, 60 V Enhancement, 8-Pin MLP FDMS5672

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง