Infineon OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD100N04S402ATMA1

RS Stock No.:: 110-7111
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD100N04S402ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD100N04S402ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB520.80

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB557.30

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 620	THB52.08	THB520.80
630 - 1240	THB50.777	THB507.77
1250 +	THB49.997	THB499.97

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 110-7111
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD100N04S402ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	OptiMOS-T2
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	91nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	150W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Width	6.22mm
	Length	6.73mm
	Height	2.41mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series OptiMOS-T2
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 91nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 150W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Width 6.22mm
	Length 6.73mm
	Height 2.41mm
	Automotive Standard AEC-Q101

สถานะRoHS: ไม่สามารถใช้ได้

Infineon OptiMOS-T2 Series MOSFET, 40V Maximum Drain Source Voltage, 100A Maximum Continuous Drain Current - IPD100N04S402ATMA1

This MOSFET is a high-current switching transistor designed for demanding electronic systems requiring robust thermal and electrical performance. It operates across an extended temperature range and is intended for surface-mount assembly, offering low on-resistance and efficient conduction for power conversion and switching tasks in automotive and industrial environments.

Features and Benefits:

• 2mΩ Rds provides minimal conduction losses
• 100A continuous drain current supports high-load applications
• 150W power dissipation enables substantial heat handling
• 91nC gate charge allows predictable switching control
• 1.2V forward voltage reduces conduction drop under load
• 20V gate tolerance assists protection against overdrive

Applications

• Suitable for automotive power stages requiring AEC‑Q101 qualification
• Used for DC-DC converters in high-current systems
• Ideal for motor-drive switches in automotive electronics
• Can be used for battery management and power distribution
• Used with surface-mount assemblies on compact power modules

What package type should designers accommodate for board layout?

The device comes in a TO‑252 package and is intended for surface mounting, so land patterns should match that three-pin configuration and thermal pad requirements.

How does it perform across temperature extremes?

It maintains operation from -55°C up to 175°C, making it suitable for environments with wide thermal excursions and elevated ambient temperatures.

What polarity and channel arrangement does it use?

It is an N-channel enhancement‑mode device, requiring a positive gate-to-source voltage for conduction and offering standard N-channel switching behaviour.

Are there limits for drain-to-source and gate voltages to consider?

The maximum drain-to-source voltage is 40V and the gate-to-source maximum is 20V, so designs must ensure these limits are not exceeded during transients.