N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD100N04S402ATMA1

RS Stock No.:: 110-7111
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD100N04S402ATMA1
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Infineon

N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD100N04S402ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each: (In a Pack of 10)

THB65.395

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB69.973

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

สินค้าหมดชั่วคราว (Temporarily out of stock) - จะเป็นแบ๊คออเดอร์จัดส่ง (back order for despatch) 07/02/2025, จัดส่งภายใน (delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค**
10 - 620	THB65.395	THB653.95
630 - 1240	THB63.759	THB637.59
1250 +	THB62.779	THB627.79

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 110-7111
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD100N04S402ATMA1
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Infineon

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	100 A
Maximum Drain Source Voltage	40 V
Series	OptiMOS™ -T2
Package Type	DPAK (TO-252)
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	2 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Maximum Power Dissipation	150 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip	1
Length	6.73mm
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Typical Gate Charge @ Vgs	91 nC @ 10 V
Width	6.22mm
Transistor Material	Si
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	2.41mm
Forward Diode Voltage	1.3V

N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD100N04S402ATMA1

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Infineon OptiMOS™ T2 Power MOSFETs

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง