STMicroelectronics Enhancement Mode STL N-Channel Power MOSFET, 181 A, 80 V N, 8-Pin PowerFLAT STL180N8F8

N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 10 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 12%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB90.19

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB96.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 300 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
การประหยัด
1 - 9THB90.19-
10 - 24THB79.0812%
25 - 99THB71.0521%
100 - 499THB61.1732%
500 +THB51.2843%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
898-600
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STL180N8F8
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

181A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PowerFLAT

Series

STL

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.3mΩ

Channel Mode

N

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

167W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

85nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Enhancement Mode

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

ECOPACK2

Height

1mm

Width

5mm

Length

5.8mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics N-channel enhancement mode Power MOSFET designed in STripFET F8 technology featuring an enhanced trench gate structure.It ensures a state-of-the-art of figure of merit for very low on-state resistance while reducing internal capacitances and gate charge for Faster and more efficient switching.

MSL1 grade

100% avalanche tested

Low gate charge

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง