STMicroelectronics Enhancement Mode STL N channel-Channel Power MOSFET, 126 A, 80 V N, 8-Pin PowerFLAT STL110N8F8

N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB37.07

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB39.66

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
สินค้าใหม่ - พรีออเดอร์วันนี้
  • ส่งจากวันที่ 18 มกราคม 2570
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 24THB37.07
25 - 99THB32.79
100 - 499THB29.46
500 - 999THB25.19
1000 +THB20.91

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
898-599
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STL110N8F8
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N channel

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

126A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PowerFLAT

Series

STL

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.5mΩ

Channel Mode

N

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

47nC

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Transistor Configuration

Enhancement Mode

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

5.8mm

Height

1mm

Width

5mm

Standards/Approvals

ECOPACK2

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics N-channel enhancement mode Power MOSFET designed in STripFET F8 technology featuring an enhanced trench gate structure.It ensures a state-of-the-art of figure of merit for very low on-state resistance while reducing internal capacitances and gate charge for Faster and more efficient switching.

MSL1 grade

100% avalanche tested

Low gate charge