onsemi N channel-Channel MOSFET, 310 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 2N7002ET7G
- RS Stock No.:
- 838-682
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- 2N7002ET7G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 200 ชิ้น)*
THB286.60
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB306.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 07 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 200 - 1800 | THB1.433 | THB286.60 |
| 2000 - 9800 | THB1.16 | THB232.00 |
| 10000 - 19800 | THB0.889 | THB177.80 |
| 20000 + | THB0.696 | THB139.20 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 838-682
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- 2N7002ET7G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 310mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3Ω | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 0.42W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.81nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 1.3mm | |
| Height | 1mm | |
| Length | 2.9mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 310mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3Ω | ||
Maximum Power Dissipation Pd 0.42W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.81nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 1.3mm | ||
Height 1mm | ||
Length 2.9mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The onsemi small signal MOSFET is designed for low side load switching applications. This component features a Compact SOT−23 package, Ideal for space-constrained designs while delivering reliable performance.
Low R DS(on) ensures efficient power management
Trench technology enhances switching efficiency
AEC−Q101 qualified for automotive applications
Pb−free and RoHS compliant for environmental sustainability
Operates with a lead temperature of up to 260 °C for versatile soldering
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex DMN65D8L Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 DMN65D8L-7
- DiodesZetex DMN65D8L Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Microchip VN10K Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92 VN10KN3-G
- Microchip VN10K Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92
- Nexperia 2N7002BKW Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement115
- Nexperia 2N7002PW Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement115
- Nexperia 2N7002BKW Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SC-70
- Nexperia 2N7002PW Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SC-70
