ROHM N channel-Channel MOSFET, 3.9 A, 1700 V, 7-Pin TO SCT2H12NWBTL1

RS Stock No.:: 780-669
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SCT2H12NWBTL1
ผู้ผลิต:: ROHM

ROHM N channel-Channel MOSFET, 3.9 A, 1700 V, 7-Pin TO SCT2H12NWBTL1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 2 ชิ้น)*

THB267.55

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB286.278

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สินค้าใหม่ - พรีออเดอร์วันนี้

ส่งจากวันที่ 24 มิถุนายน 2569

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2 - 18	THB133.775	THB267.55
20 - 98	THB117.855	THB235.71
100 +	THB95.045	THB190.09

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 780-669
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SCT2H12NWBTL1
ผู้ผลิต:: ROHM

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	ROHM
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N channel
	Maximum Continuous Drain Current Id	3.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1700V
	Package Type	TO
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.5Ω
	Maximum Power Dissipation Pd	39W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	24nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	0V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS Compliant
	Width	10.2mm
	Length	15.5mm
	Height	4.5mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand ROHM
	Product Type MOSFET
	Channel Type N channel
	Maximum Continuous Drain Current Id 3.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1700V
	Package Type TO
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.5Ω
	Maximum Power Dissipation Pd 39W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 24nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 0V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS Compliant
	Width 10.2mm
	Length 15.5mm
	Height 4.5mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SCT2H12NWBTL1

The ROHM Silicon Carbide MOSFET delivers high-performance N-channel switching for high-voltage industrial power management. This Advanced SiC device is engineered for auxiliary power supplies, ensuring superior thermal conductivity and lower switching losses compared to traditional silicon components.

Drain to source voltage of 1700 V

Continuous drain current of 3.9 A

1.15 Ohm typical on-resistance

High power dissipation of 39 W

ROHM N channel-Channel MOSFET, 3.9 A, 1700 V, 7-Pin TO SCT2H12NWBTL1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง