ROHM N channel-Channel MOSFET, 3.9 A, 1700 V, 7-Pin TO SCT2H12NWBTL1

N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 2 ชิ้น)*

THB267.55

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB286.278

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 760 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2 - 18THB133.775THB267.55
20 - 98THB117.855THB235.71
100 +THB95.045THB190.09

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
780-669
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SCT2H12NWBTL1
ผู้ผลิต:
ROHM
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

ROHM

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1700V

Package Type

TO

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.5Ω

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

0V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

24nC

Maximum Power Dissipation Pd

39W

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

10.2mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Height

4.5mm

Length

15.5mm

Automotive Standard

No

The ROHM Silicon Carbide MOSFET delivers high-performance N-channel switching for high-voltage industrial power management. This Advanced SiC device is engineered for auxiliary power supplies, ensuring superior thermal conductivity and lower switching losses compared to traditional silicon components.

Drain to source voltage of 1700 V

Continuous drain current of 3.9 A

1.15 Ohm typical on-resistance

High power dissipation of 39 W

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง