ROHM N-Channel MOSFET, 3.9 A, 1700 V, 7-Pin TO SCT2H12NWBTL1
- RS Stock No.:
- 780-669
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT2H12NWBTL1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 2 ชิ้น)*
THB294.31
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB314.91
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 610 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | THB147.155 | THB294.31 |
| 20 - 98 | THB129.645 | THB259.29 |
| 100 + | THB104.555 | THB209.11 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 780-669
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT2H12NWBTL1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3.9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1700V | |
| Package Type | TO | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.5Ω | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 24nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 0V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 39W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 15.5mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Height | 4.5mm | |
| Width | 10.2mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3.9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1700V | ||
Package Type TO | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.5Ω | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 24nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 0V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 39W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 15.5mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Height 4.5mm | ||
Width 10.2mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM Silicon Carbide MOSFET delivers high-performance N-channel switching for high-voltage industrial power management. This Advanced SiC device is engineered for auxiliary power supplies, ensuring superior thermal conductivity and lower switching losses compared to traditional silicon components.
Drain to source voltage of 1700 V
Continuous drain current of 3.9 A
1.15 Ohm typical on-resistance
High power dissipation of 39 W
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM N-Channel MOSFET 1700 V N Bulk
- ROHM N-Channel MOSFET 1700 V N Bulk BSM250D17P2E004
- ROHM N-Channel MOSFET 60 V, 7-Pin DFN2020Y7LSAA RF9L120BLFRATCR
- ROHM N-Channel MOSFET 100 V, 7-Pin DFN2020Y7LSAA RF9P120BLFRATCR
- Starpower GD100HFX170C1S 168 A 1700 V, 7-Pin Module
- Starpower GD50HFX170C1S 100 A 1700 V, 7-Pin Module
- Starpower GD300HFX170C2S 300 A 1700 V, 7-Pin Module
- Semikron Danfoss SKM400GB176D 430 A 1700 V Panel
