ROHM N-Channel MOSFET, 3.9 A, 1.7 kV, 7-Pin TO SCT2H12NWBTL1

RS Stock No.:: 780-669
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SCT2H12NWBTL1
ผู้ผลิต:: ROHM

ROHM N-Channel MOSFET, 3.9 A, 1.7 kV, 7-Pin TO SCT2H12NWBTL1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 20 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 11%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 2 ชิ้น)*

THB294.31

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB314.91

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

554 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*	การประหยัด
2 - 18	THB147.155	THB294.31	-
20 - 98	THB129.645	THB259.29	11%
100 +	THB104.555	THB209.11	28%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 780-669
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SCT2H12NWBTL1
ผู้ผลิต:: ROHM

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	ROHM
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	3.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1.7kV
	Package Type	TO
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.5Ω
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	0mV
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	39W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	24nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	4.5mm
	Length	15.5mm
	Width	10.2mm
	Standards/Approvals	RoHS Compliant
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand ROHM
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 3.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1.7kV
	Package Type TO
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.5Ω
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 0mV
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 39W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 24nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 4.5mm
	Length 15.5mm
	Width 10.2mm
	Standards/Approvals RoHS Compliant
	Automotive Standard No

Datasheet - SCT2H12NWBTL1

The ROHM Silicon Carbide MOSFET delivers high-performance N-channel switching for high-voltage industrial power management. This Advanced SiC device is engineered for auxiliary power supplies, ensuring superior thermal conductivity and lower switching losses compared to traditional silicon components.

Drain to source voltage of 1700 V

Continuous drain current of 3.9 A

1.15 Ohm typical on-resistance

High power dissipation of 39 W

ROHM N-Channel MOSFET, 3.9 A, 1.7 kV, 7-Pin TO SCT2H12NWBTL1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง