Infineon CoolSiC N channel-Channel Power MOSFET, 26.6 A, 650 V Enhancement, 4-Pin TO-247-4 IMZA65R075M2HXKSA1
- RS Stock No.:
- 762-920
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IMZA65R075M2HXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB210.52
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB225.26
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB210.52 |
| 10 - 49 | THB170.60 |
| 50 - 99 | THB130.69 |
| 100 + | THB104.55 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 762-920
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IMZA65R075M2HXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N channel | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 26.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | CoolSiC | |
| Package Type | TO-247-4 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 95mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 14.9nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 111W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 21.1mm | |
| Height | 5.1mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N channel | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 26.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series CoolSiC | ||
Package Type TO-247-4 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 95mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14.9nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 111W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 21.1mm | ||
Height 5.1mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Infineon CoolSiC MOSFET delivers unparalleled performance, superior reliability, and great ease of use. It enables cost effective, highly efficient, and simplified designs to fulfill the ever‑growing system and market needs.
Ultra‑low switching losses
Enhances system robustness and reliability
Facilitates great ease of use and integration
Reduces the size, weight and bill of materials of the systems
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolSiC N channel-Channel Power MOSFET 1400 V Enhancement, 4-Pin TO-247-4 IMZC140R024M2HXKSA1
- Infineon CoolSiC N channel-Channel Power MOSFET 400 V Enhancement, 4-Pin TO-247-4 IMZA40R036M2HXKSA1
- Infineon CoolSiC N channel-Channel Power MOSFET 400 V Enhancement, 4-Pin TO-247-4 IMZA40R015M2HXKSA1
- Infineon CoolSiC N channel-Channel Power MOSFET 1400 V Enhancement, 4-Pin TO-247-4 IMZC140R029M2HXKSA1
- Infineon CoolSiC N channel-Channel Power MOSFET 400 V Enhancement, 4-Pin TO-247-4 IMZA40R011M2HXKSA1
- Infineon CoolSiC N channel-Channel Power MOSFET 400 V Enhancement, 4-Pin TO-247-4 IMZA40R025M2HXKSA1
- Infineon CoolSiC N channel-Channel Power MOSFET 25 V Enhancement, 4-Pin TO-247-4 IMZC140R019M2HXKSA1
- Infineon CoolSiC N channel-Channel Power MOSFET 400 V Enhancement, 4-Pin TO-247-4 IMZA40R045M2HXKSA1