Infineon IGW15T120FKSA1, Type N-Channel Power Semiconductor, 30 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

RS Stock No.:: 914-0211
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IGW15T120FKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IGW15T120FKSA1, Type N-Channel Power Semiconductor, 30 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 4 ชิ้น)*

THB600.612

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB642.656

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 03 พฤษภาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
4 - 4	THB150.153	THB600.61
8 - 12	THB146.395	THB585.58
16 +	THB144.143	THB576.57

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 914-0211
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IGW15T120FKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current Ic	30A
	Product Type	Power Semiconductor
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Maximum Power Dissipation Pd	110W
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Through Hole
	Channel Type	Type N
	Pin Count	3
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	±20 V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Series	TrenchStop
	Standards/Approvals	JEDEC1, Pb-free lead plating, RoHS
	Energy Rating	4.1mJ
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Maximum Continuous Collector Current Ic 30A
	Product Type Power Semiconductor
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Maximum Power Dissipation Pd 110W
	Package Type TO-247
	Mount Type Through Hole
	Channel Type Type N
	Pin Count 3
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Series TrenchStop
	Standards/Approvals JEDEC1, Pb-free lead plating, RoHS
	Energy Rating 4.1mJ
	Automotive Standard No

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V

A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

• Collector-emitter voltage range 1100 to 1600V

• Very low VCEsat

• Low turn-off losses

• Short tail current

• Low EMI

• Maximum junction temperature 175°C

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Infineon IGW15T120FKSA1, Type N-Channel Power Semiconductor, 30 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V

IGBT Discretes & Modules, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง