Vishay E Series N channel-Channel MOSFET, 62 A, 600 V Enhancement, 4-Pin TO-247AD SIHL039N60E-GE3
- RS Stock No.:
- 735-261
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHL039N60E-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB485.67
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB519.67
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 31 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB485.67 |
| 10 - 49 | THB301.01 |
| 50 - 99 | THB233.18 |
| 100 + | THB157.43 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 735-261
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHL039N60E-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 62A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-247AD | |
| Series | E Series | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.039Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 357W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 82nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 16.13 mm | |
| Length | 23.6mm | |
| Height | 5.21mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 62A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-247AD | ||
Series E Series | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.039Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 357W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 82nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 16.13 mm | ||
Length 23.6mm | ||
Height 5.21mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay E Series N channel-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin TO-247AD SIHL023N60E-GE3
- Vishay E Series N channel-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin TO-247AD SIHL026N65E-GE3
- Vishay E Series N channel-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin TO-247AD SIHL040N65E-GE3
- Vishay E Series N channel-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247AD SIHW040N65E-GE3
- Vishay E Series N channel-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH075N65E-T1-GE3
- Vishay E Series N channel-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB240N65E-GE3
- Vishay E Series N channel-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG026N65E-GE3
- Vishay E Series N channel-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG100N65E-GE3
