Vishay E Series N channel-Channel MOSFET, 88 A, 650 V Enhancement, 4-Pin TO-247AD SIHL026N65E-GE3

N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB887.18

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB949.28

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 31 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 4THB887.18
5 +THB869.36

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
735-233
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIHL026N65E-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

88A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

E Series

Package Type

TO-247AD

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.026Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

157nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง