Vishay SQ2310CES N-Channel Single MOSFETs, 6 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- RS Stock No.:
- 653-116
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQ2310CES-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB14.73
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB15.76
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,925 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 24 | THB14.73 |
| 25 - 99 | THB12.96 |
| 100 - 499 | THB11.78 |
| 500 - 999 | THB10.02 |
| 1000 + | THB9.42 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 653-116
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQ2310CES-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Series | SQ2310CES | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.03Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8.5nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 3.04mm | |
| Height | 1.12mm | |
| Width | 2.64mm | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type PowerPAK | ||
Series SQ2310CES | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.03Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.5nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 3.04mm | ||
Height 1.12mm | ||
Width 2.64mm | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay Compact automotive-grade N-channel MOSFET tailored for low-voltage switching applications. With a drain-source voltage rating of 20 V and a maximum junction temperature of 175 °C, it’s Ideal for space-constrained, thermally demanding environments. It comes in a SOT-23 package and leverages TrenchFET technology for efficient performance.
AEC Q101 qualified
Pb Free
Halogen free
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SQ2310CES N-Channel Single MOSFETs 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SQ2310CES-T1_GE3
- Vishay SQS178EL N-Channel Single MOSFETs 72 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SQS146 N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SQS174ELNW N-Channel Single MOSFETs 72 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SQS201CENW Type P-Channel Single MOSFETs -100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SQS178EL N-Channel Single MOSFETs 72 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SQS178ELNW-T1_GE3
- Vishay SQS146 N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SQS146ELNW-T1_GE3
- Vishay SQS174ELNW N-Channel Single MOSFETs 72 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SQS174ELNW-T1_GE3