ROHM R2P Type N-Channel Single MOSFETs, 60 V Enhancement, 3-Pin MPT3 R2P020N06HZGT100
- RS Stock No.:
- 646-553
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R2P020N06HZGT100
- ผู้ผลิต:
- ROHM
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 10 ชิ้น)*
THB138.62
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB148.32
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 100 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | THB13.862 | THB138.62 |
| 100 - 240 | THB12.179 | THB121.79 |
| 250 - 990 | THB10.941 | THB109.41 |
| 1000 - 4990 | THB8.911 | THB89.11 |
| 5000 + | THB8.664 | THB86.64 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 646-553
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R2P020N06HZGT100
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | MPT3 | |
| Series | R2P | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 240mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±12 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 0.5W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 5nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 4.30mm | |
| Height | 1.6mm | |
| Width | 4.70 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type MPT3 | ||
Series R2P | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 240mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±12 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 0.5W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 4.30mm | ||
Height 1.6mm | ||
Width 4.70 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ROHM N channel 60 volt 2 ampere middle power metal oxide semiconductor field effect transistor features low on resistance and supports low voltage drive with 2 point 5 volt operation.
AEC-Q101 Qualified
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM R4P Type N-Channel Single MOSFETs 3-Pin MPT3 R4P020N06HZGT100
- ROHM R4P Type N-Channel Single MOSFETs 3-Pin MPT3 R4P030N03HZGT100
- ROHM RD3L08CBLHRB Type N-Channel Single MOSFETs 3-Pin TO-252 (TL) RD3L08CBLHRBTL
- ROHM RD3L08DBLHRB Type N-Channel Single MOSFETs 3-Pin TO-252 (TL) RD3L08DBLHRBTL
- ROHM RD3L08DBKHRB Type N-Channel Single MOSFETs 3-Pin TO-252 (TL) RD3L08DBKHRBTL
- ROHM AG091FLD3HRB Type N-Channel Single MOSFETs 3-Pin TO-252 (TL) AG091FLD3HRBTL
- ROHM RD3 Type N-Channel Single MOSFETs 3-Pin TO-252 RD3L04BBLHRBTL
- ROHM AG191FLD3HRB Type N-Channel Single MOSFETs 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) AG191FLD3HRBTL