STMicroelectronics Sixpack Topology M2P45M12W2 6 Type N-Channel MOSFET Arrays, 30 A, 1200 V Enhancement, 32-Pin ACEPACK

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB2,986.81

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB3,195.89

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 12 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 4THB2,986.81
5 +THB2,897.20

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
640-673
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
M2P45M12W2-1LA
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET Arrays

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

M2P45M12W2

Package Type

ACEPACK DMT-32

Mount Type

Through Hole

Pin Count

32

Maximum Drain Source Resistance Rds

60.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

100nC

Forward Voltage Vf

2.5V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Transistor Configuration

Sixpack Topology

Standards/Approvals

AQG 324, Automotive‐grade

Length

44.50mm

Height

5.90mm

Width

27.90 mm

Number of Elements per Chip

6

Automotive Standard

AQG 324

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics automotive-grade power module housed in the ACEPACK DMT-32 package. It implements a sixpack topology using second-generation silicon carbide (SiC) MOSFETs, optimized for the DC/DC converter stage in on-board chargers (OBCs) for hybrid and electric vehicles. Designed for high-efficiency and high-frequency switching, it integrates an NTC thermistor for temperature monitoring and features an aluminum nitride (AlN) insulated substrate for superior thermal performance.

1200 V blocking voltage for high-voltage applications

Typical RDS(on) of 47.5 mΩ for reduced conduction losses

Maximum junction temperature of 175 °C for thermal robustness

DBC Cu-AlN-Cu substrate for efficient heat dissipation

3 kV isolation voltage for enhanced safety

Integrated NTC sensor for real-time thermal feedback

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง