Toshiba N-Channel MOSFET Transistor, 40 A, 600 V, 3-Pin SC-65 TK40J60T(Q)
- RS Stock No.:
- 582-038P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TK40J60T(Q)
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย 20 ชิ้น (จัดส่งในถุง)*
THB8,000.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB8,560.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 20 - 49 | THB400.00 |
| 50 - 99 | THB366.80 |
| 100 + | THB338.40 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 582-038P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TK40J60T(Q)
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 40 A | |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V | |
| Package Type | SC-65 | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance | 80 mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation | 400 W | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V | |
| Width | 4.8mm | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 67 nC @ 10 V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Length | 15.9mm | |
| Height | 20mm | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current 40 A | ||
Maximum Drain Source Voltage 600 V | ||
Package Type SC-65 | ||
Mounting Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance 80 mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation 400 W | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Gate Source Voltage -30 V, +30 V | ||
Width 4.8mm | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Transistor Material Si | ||
Typical Gate Charge @ Vgs 67 nC @ 10 V | ||
Maximum Operating Temperature +150 °C | ||
Length 15.9mm | ||
Height 20mm | ||
MOSFET Transistors, Toshiba
