STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 60 A, 650 V Enhancement, 4-Pin SCT027W65G3-4AG

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB23,536.59

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB25,184.16

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 30 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
30 +THB784.553THB23,536.59

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
215-228
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SCT027W65G3-4AG
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

SCT

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

29mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

51nC

Maximum Power Dissipation Pd

313W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-10 to 22 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

3V

Maximum Operating Temperature

200°C

Standards/Approvals

AEC-Q101

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

High speed switching performances

Very fast and robust intrinsic body diode

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง