STMicroelectronics N-Channel STO60 Type N-Channel MOSFET, 55 A, 600 V, 8-Pin TO-LL STO60N045DM9

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB351.81

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB376.44

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB351.81
10 - 99THB316.68
100 - 499THB291.94
500 - 999THB270.66
1000 +THB242.95

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
358-979
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STO60N045DM9
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Operating Frequency

1 MHz

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

55A

Output Power

255W

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

STO60

Package Type

TO-LL

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Minimum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

N-Channel

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Width

10 mm

Length

11.88mm

Height

2.4mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
MY
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET is based on the most innovative super-junction MDmesh DM9 technology, suitable for medium/high voltage MOSFETs. The silicon-based DM9 technology benefits from a multi-drain manufacturing process which allows an enhanced device structure. The diode featuring very low recovery charge (Qrr), time (trr) and RDS(on) makes this fast-switching super-junction Power MOSFET tailored for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Fast recovery body diode

Very low FOM

Low input capacitance and resistance

100 percent avalanche tested

Extremely high dv by dt ruggedness

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง