Infineon IMW65 Type N-Channel MOSFET, 130 A, 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247 IMW65R010M2HXKSA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB1,309.26

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,400.91

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 15 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB1,309.26
10 - 99THB1,178.14
100 +THB1,086.60

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
351-950
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IMW65R010M2HXKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

130A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Output Power

312W

Series

IMW65

Package Type

PG-TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

16.3mm

Standards/Approvals

JEDEC

Width

21.5 mm

Height

5.3mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Infineon CoolSiC MOSFET G2 in a TO-247-3 package builds on the strengths of Generation 1 technology and enables the accelerated system design of more cost optimized, efficient, compact, and reliable solutions. Generation 2 comes with significant improvements in key figures-of-merit for both, hard-switching operation and soft-switching topologies, suitable for all common combinations of AC-DC, DC-DC, and DC-AC stages.

Enables BOM savings

Highest reliability

Enables top efficiency and power density

Ease of use

Full compatibility with existing vendors

Allows designs without fan or heatsink

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง