Infineon IGOT65 Type N-Channel MOSFET, 44 A, 650 V Enhancement, 20-Pin PG-DSO-20 IGOT65R035D2AUMA1
- RS Stock No.:
- 351-882
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGOT65R035D2AUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB539.34
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB577.09
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 800 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 28 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB539.34 |
| 10 - 99 | THB485.41 |
| 100 + | THB447.80 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 351-882
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGOT65R035D2AUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 44A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | PG-DSO-20 | |
| Series | IGOT65 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 20 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.075Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 10V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 134W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7.7nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC for Industrial Applications | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 44A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type PG-DSO-20 | ||
Series IGOT65 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 20 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.075Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 10V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 134W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.7nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals JEDEC for Industrial Applications | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- ID
The Infineon GaN power transistor allows for increased efficiency at high-frequency operation. As part of the CoolGaN 650 V G5 family, it meets the highest quality standards, enabling highly reliable designs with superior efficiency. Housed in a top-side cooled DSO package, it is designed for optimal power dissipation in various industrial applications.
650 V e-mode power transistor
Ultrafast switching
No reverse-recovery charge
Capable of reverse conduction
Low gate charge, low output charge
Superior commutation ruggedness
Low dynamic RDS(on)
High ESD robustness: 2 kV HBM - 1 kV CDM
Top-side cooled package
JEDEC qualified (JESD47, JESD22)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IGOT65 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 20-Pin PG-DSO-20 IGOT65R055D2AUMA1
- Infineon IGOT65 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 20-Pin PG-DSO-20 IGOT65R045D2AUMA1
- Infineon IGOT65 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 20-Pin PG-DSO-20 IGOT65R025D2AUMA1
- Infineon CoolGaN Power Transistor 600 V Enhancement, 20-Pin PG-DSO-20-85 IGO60R070D1AUMA2
- Infineon CoolGaN Power Transistor 600 V Enhancement, 20-Pin PG-DSO-20-85
- Infineon AC-DC 20-Pin, PG-DSO-20
- Infineon Low Side PG-DSO-20
- Infineon High Side 4 PG-DSO-20