Infineon IGOT65 Type N-Channel MOSFET, 34 A, 650 V Enhancement, 20-Pin PG-DSO-20 IGOT65R045D2AUMA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB403.76

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB432.02

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 799 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB403.76
10 - 99THB363.19
100 - 499THB334.99
500 - 999THB310.74
1000 +THB278.58

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
351-880
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IGOT65R045D2AUMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

34A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

IGOT65

Package Type

PG-DSO-20

Mount Type

Surface

Pin Count

20

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.054Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±10 V

Maximum Power Dissipation Pd

109W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

JEDEC

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
ID
The Infineon GaN power transistor allows for increased efficiency at high-frequency operation. As part of the CoolGaN 650 V G5 family, it meets the highest quality standards, enabling highly reliable designs with superior efficiency. Housed in a top-side cooled DSO package, it is designed for optimal power dissipation in various industrial applications.

650 V e-mode power transistor

Ultrafast switching

No reverse-recovery charge

Capable of reverse conduction

Low gate charge, low output charge

Superior commutation ruggedness

Low dynamic RDS(on)

High ESD robustness: 2 kV HBM - 1 kV CDM

Top-side cooled package

JEDEC qualified (JESD47, JESD22)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง