Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 143 A, 30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD020N03LF2SATMA1
- RS Stock No.:
- 349-426
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD020N03LF2SATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB512.13
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB547.98
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,980 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | THB51.213 | THB512.13 |
| 100 - 240 | THB48.64 | THB486.40 |
| 250 + | THB45.077 | THB450.77 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 349-426
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD020N03LF2SATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 143A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | PG-TO252-3 | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.05mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 136W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 33nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 143A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type PG-TO252-3 | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.05mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 136W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 33nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Infineon StrongIRFET 2 power MOSFET 30 V technology features a best in class RDS(on) of 2 mOhm in a DPAK package. This product addresses a broad range of applications from low to high switching frequency.
General purpose products
Excellent robustness
Broad availability at distributors
Standard packages and pin out
High manufacturing and supply standards
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 950 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD60R1K0PFD7SAUMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD046N08N5ATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD047N03LF2SATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD60R600CM8XTMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 950 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD95R1K2P7ATMA1