Infineon IPF Type N-Channel Power Transistor, 138 A, 200 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IPF067N20NM6ATMA1
- RS Stock No.:
- 349-407
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPF067N20NM6ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB350.82
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB375.38
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB350.82 |
| 10 - 99 | THB315.69 |
| 100 - 499 | THB290.95 |
| 500 - 999 | THB270.17 |
| 1000 + | THB241.96 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 349-407
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPF067N20NM6ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Power Transistor | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 138A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | PG-TO263-7 | |
| Series | IPF | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 72nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 300W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | 100% Avalanche Tested, IEC61249-2-21, MSL1 J-STD-020, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Power Transistor | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 138A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type PG-TO263-7 | ||
Series IPF | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 6.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 72nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 300W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals 100% Avalanche Tested, IEC61249-2-21, MSL1 J-STD-020, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
The Infineon OptiMOS 6 Power Transistor, 120 V is an N-channel, normal level MOSFET designed for high efficiency power applications. It features very low on-resistance (RDS(on)), reducing conduction losses and improving overall efficiency. With an excellent gate charge x RDS(on) product (FOM), it offers superior switching performance. The device also has very low reverse recovery charge (Qrr), ensuring efficient operation.
Pb free lead plating and RoHS compliant
Halogen free according to IEC61249-2-21
MSL 1 classified according to J-STD-020
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPF Type N-Channel Power Transistor 120 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IPF019N12NM6ATMA1
- Infineon IPF Type N-Channel Power Transistor 200 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IPF129N20NM6ATMA1
- Infineon IPF Type N-Channel Power Transistor 135 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IPF021N13NM6ATMA1
- Infineon IPF Type N-Channel Power Transistor 135 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IPF031N13NM6ATMA1
- Infineon IMB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG120R017M2HXTMA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 AIMBG75R027M1HXTMA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 AIMBG75R060M1HXTMA1
- Infineon IMB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG120R022M2HXTMA1