Infineon IPF Type N-Channel Power Transistor, 207 A, 135 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IPF031N13NM6ATMA1

RS Stock No.:: 349-405
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPF031N13NM6ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPF Type N-Channel Power Transistor, 207 A, 135 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IPF031N13NM6ATMA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB484.91

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB518.854

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 1,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 18	THB242.455	THB484.91
20 - 198	THB218.21	THB436.42
200 - 998	THB201.385	THB402.77
1000 - 1998	THB186.79	THB373.58
2000 +	THB167.245	THB334.49

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 349-405
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPF031N13NM6ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power Transistor
	Maximum Continuous Drain Current Id	207A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	135V
	Package Type	PG-TO263-7
	Series	IPF
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3.1mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	294W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	104nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	IEC61249-2-21, MSL1 J-STD-020, Pb-free lead plating, RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type Power Transistor
	Maximum Continuous Drain Current Id 207A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 135V
	Package Type PG-TO263-7
	Series IPF
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3.1mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 294W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 104nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals IEC61249-2-21, MSL1 J-STD-020, Pb-free lead plating, RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IPF031N13NM6ATMA1

COO (Country of Origin):: MY

The Infineon OptiMOS 6 Power Transistor, 120 V is an N-channel, normal level MOSFET designed for high efficiency power applications. It features very low on-resistance (RDS(on)), reducing conduction losses and improving overall efficiency. With an excellent gate charge x RDS(on) product (FOM), it offers superior switching performance. The device also has very low reverse recovery charge (Qrr), ensuring efficient operation.

Optimized for motor drives and battery powered applications

Pb free lead plating and RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249-2-21

MSL 1 classified according to J-STD-020

Infineon IPF Type N-Channel Power Transistor, 207 A, 135 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IPF031N13NM6ATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง