Infineon OptiMOS-TM6 N-Channel MOSFET, 230 A, 40 V Enhancement, 10-Pin PG-LHDSO-10-1 IAUCN04S6N013TATMA1
- RS Stock No.:
- 349-164
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IAUCN04S6N013TATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB454.42
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB486.23
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB90.884 | THB454.42 |
| 50 - 95 | THB86.378 | THB431.89 |
| 100 - 495 | THB79.994 | THB399.97 |
| 500 - 995 | THB73.612 | THB368.06 |
| 1000 + | THB70.856 | THB354.28 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 349-164
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IAUCN04S6N013TATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 230A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | OptiMOS-TM6 | |
| Package Type | PG-LHDSO-10-1 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 10 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.68mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 52nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 133W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 800mV | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101, RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 230A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series OptiMOS-TM6 | ||
Package Type PG-LHDSO-10-1 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 10 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.68mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 52nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 133W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 800mV | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals AEC-Q101, RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
The Infineon Automotive MOSFET is an OptiMOS power MOSFET specifically designed for automotive applications. It is an N-channel, enhancement mode device with normal level characteristics. The MOSFET undergoes extended qualification beyond AEC-Q101 standards and features enhanced electrical testing, ensuring reliable performance. Its robust design makes it suitable for demanding automotive environments, offering durability and efficiency in power management.
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
RoHS compliant
Potential application
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS-TM6 N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 10-Pin PG-LHDSO-10-1 IAUCN04S6N017TATMA1
- Infineon OptiMOS-TM6 N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 10-Pin PG-LHDSO-10-2 IAUCN04S6N009TATMA1
- Infineon OptiMOS-TM6 N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 10-Pin PG-LHDSO-10-3 IAUCN04S6N007TATMA1
- Infineon OptiMOS-TM6 N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH36N04NM6ATMA1
- Infineon OptiMOS-TM6 N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB068N20NM6ATMA1
- Infineon OptiMOS-TM6 N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB339N20NM6ATMA1
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 10-Pin PG-HDSOP-10-1 IPDD60R050G7XTMA1
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 10-Pin PG-HDSOP-10 IPDD60R037CM8XTMA1