Infineon ISG Type N-Channel Power Transistor, 299 A, 40 V Enhancement, 10-Pin PG-WHITFN-10-1 ISG0613N04NM6HSCATMA1
- RS Stock No.:
- 349-394
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ISG0613N04NM6HSCATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB371.11
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB397.088
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 17 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | THB185.555 | THB371.11 |
| 20 - 198 | THB167.00 | THB334.00 |
| 200 - 998 | THB154.135 | THB308.27 |
| 1000 - 1998 | THB143.00 | THB286.00 |
| 2000 + | THB128.155 | THB256.31 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 349-394
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ISG0613N04NM6HSCATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Power Transistor | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 299A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | ISG | |
| Package Type | PG-WHITFN-10-1 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 10 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.88mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 167W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 69nC | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Power Transistor | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 299A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series ISG | ||
Package Type PG-WHITFN-10-1 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 10 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.88mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 167W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 69nC | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
The Infineon OptiMOS 6 dual N-channel 40 V MOSFETs in scalable power block with dual-side cooling capability. Dual N-channel MOSFETs in PQFN 6.3x6.0 features low RDS(on) of 0.88 mΩ each with Q1/Q2 in a half-bridge configuration. The low parasitic inductance of the package improves switching performance & EMI while reducing overall BOM cost. The dual-side cooling capability boosts power throughput by an additional 25% with superior thermal management.
Minimized conduction losses
Reduced voltage overshoot
High power capability
Superior thermal performance
Lowest loop inductance
Superior thermal management
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon ISG Type N-Channel Power Transistor 100 V Enhancement, 10-Pin PG-WHITFN-10-1 ISG0616N10NM5HSCATMA1
- Infineon ISG Type N-Channel Power Transistor 40 V Enhancement, 10-Pin PG-VITFN-10 ISG0613N04NM6HATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 10-Pin PG-HDSOP-10-1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 10-Pin PG-HDSOP-10-1 IPDD60R050G7XTMA1
- Infineon OptiMOS-TM6 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 10-Pin PG-LHDSO-10-1 IAUCN04S6N013TATMA1
- Infineon OptiMOS-TM6 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 10-Pin PG-LHDSO-10-1 IAUCN04S6N017TATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel Power Transistor 135 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOG-8 IPTG029N13NM6ATMA1
- Infineon IQF Type N-Channel Power Transistor 40 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH55N04NM6ATMA1