Infineon ISG Type N-Channel Power Transistor, 139 A, 100 V Enhancement, 10-Pin PG-WHITFN-10-1 ISG0616N10NM5HSCATMA1
- RS Stock No.:
- 349-152
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ISG0616N10NM5HSCATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB439.39
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB470.148
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
เพิ่มอีก 12 ชิ้น เพื่อรับการจัดส่งฟรี
มีในสต็อก
- 3,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | THB219.695 | THB439.39 |
| 20 - 198 | THB197.675 | THB395.35 |
| 200 - 998 | THB182.335 | THB364.67 |
| 1000 - 1998 | THB169.225 | THB338.45 |
| 2000 + | THB151.66 | THB303.32 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 349-152
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ISG0616N10NM5HSCATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Power Transistor | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 139A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | ISG | |
| Package Type | PG-WHITFN-10-1 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 10 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 167W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 52nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | IEC61249-2-21, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Power Transistor | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 139A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series ISG | ||
Package Type PG-WHITFN-10-1 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 10 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 167W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 52nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals IEC61249-2-21, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
The Infineon OptiMOS 5 dual n-channel 100 V MOSFETs in scalable power block with dual-side cooling capability. Dual N-channel MOSFETs in PQFN 6.3x6.0 features low RDS(on) of 4.0 mΩ each with Q1/Q2 in a half-bridge configuration. The low parasitic inductance of the package improves switching performance & EMI while reducing overall BOM cost. The dual side cooling capability boosts power throughput by an additional 25% with superior thermal management.
Minimized conduction losses
Reduced voltage overshoot
High power capability
Superior thermal performance
Lowest loop inductance
Superior switching performance/EMI
Superior thermal management
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon ISG Type N-Channel Power Transistor 40 V Enhancement, 10-Pin PG-WHITFN-10-1 ISG0613N04NM6HSCATMA1
- Infineon ISG Type N-Channel Power Transistor 40 V Enhancement, 10-Pin PG-VITFN-10 ISG0613N04NM6HATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 10-Pin PG-HDSOP-10-1 IPDD60R050G7XTMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 10-Pin PG-HDSOP-10-1
- Infineon OptiMOS-TM6 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 10-Pin PG-LHDSO-10-1 IAUCN04S6N013TATMA1
- Infineon OptiMOS-TM6 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 10-Pin PG-LHDSO-10-1 IAUCN04S6N017TATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 10-Pin PG-HDSOP-10 IPDD60R037CM8XTMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 10-Pin PG-HDSOP-10 IPDD60R180CM8XTMA1