Infineon Type N-Channel MOSFET, 280 A, 1200 V Enhancement FF3MR12KM1HPHPSA1

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB27,043.79

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB28,936.86

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 8 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 05 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 +THB27,043.79

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
349-316
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FF3MR12KM1HPHPSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

280A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Mount Type

Screw

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.32mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

5.59V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

23 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

60749, 60068, IEC 60747

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
HU
The Infineon 62 mm CoolSiC MOSFET Half-Bridge Module is designed in the well-known 62 mm housing, integrating M1H chip technology for high performance power applications. This module offers high current density, making it ideal for space-constrained systems that require robust performance. With low switching losses, it ensures greater efficiency at high switching frequencies. The superior gate oxide reliability enhances durability, extending the module’s operational life in demanding conditions.

Minimizes cooling efforts

Reduction in volume and size

Reduced system costs

Symmetrical module design

Standard construction technique

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง