Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 18 A, 600 V Enhancement, 4-Pin PG-LHSOF-4 IPTA60R180CM8XTMA1

RS Stock No.:: 349-264
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPTA60R180CM8XTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 18 A, 600 V Enhancement, 4-Pin PG-LHSOF-4 IPTA60R180CM8XTMA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB384.96

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB411.905

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 2,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 45	THB76.992	THB384.96
50 - 95	THB73.132	THB365.66
100 - 495	THB67.788	THB338.94
500 - 995	THB62.346	THB311.73
1000 +	THB60.07	THB300.35

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 349-264
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPTA60R180CM8XTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	18A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	PG-LHSOF-4
	Series	IPT
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	180mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	119W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	17nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	JEDEC, RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 18A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type PG-LHSOF-4
	Series IPT
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 180mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 119W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals JEDEC, RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IPTA60R180CM8XTMA1

COO (Country of Origin):: MY

The Infineon CoolMOS 8th generation platform is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The 600V CoolMOS CM8 series is the successor to the CoolMOS 7. It combines the benefits of a fast switching SJ MOSFET with excellent ease of use, e.g low ringing tendency, implemented fast body diode for all products with outstanding robustness against hard commutation and excellent ESD capability. Furthermore, extremely low switching and conduction losses of CM8, make switching applications even more efficient.

Suitable for hard and soft switching topologies

Ease of use and fast design in through low ringing tendency

Simplified thermal management thanks to our advanced die attach technique

Suitable for a wide variety of applications and power ranges

Increased power density solutions enabled by using products with smaller footprint

Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 18 A, 600 V Enhancement, 4-Pin PG-LHSOF-4 IPTA60R180CM8XTMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง