Infineon IMT Type N-Channel MOSFET, 43 A, 650 V Enhancement, 4-Pin PG-LHSOF-4 IMTA65R050M2HXTMA1
- RS Stock No.:
- 349-058
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IMTA65R050M2HXTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB342.41
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB366.38
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 16 พฤศจิกายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB342.41 |
| 10 - 99 | THB308.27 |
| 100 - 499 | THB284.02 |
| 500 - 999 | THB263.73 |
| 1000 + | THB236.02 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 349-058
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IMTA65R050M2HXTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 43A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | IMT | |
| Package Type | PG-LHSOF-4 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 62mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 197W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 22nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 43A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series IMT | ||
Package Type PG-LHSOF-4 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 62mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 197W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
The Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G2 is built on Infineon’s robust 2nd generation Silicon Carbide trench technology, offering unparalleled performance, superior reliability, and exceptional ease of use. This MOSFET enables cost effective, highly efficient, and simplified designs, making it ideal for meeting the ever-growing demands of modern power systems and markets. Its advanced technology provides a powerful solution for achieving high system efficiency in a wide range of applications.
Ultra low switching losses
Robust against parasitic turn‑on even with 0 V turn off gate voltage
Flexible driving voltage and compatible with bipolar driving scheme
Robust body diode operation under hard commutation events
The .XT interconnection technology for best in class thermal performance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IMT Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PG-LHSOF-4 IMTA65R020M2HXTMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin PG-LHSOF-4 IPTA60R180CM8XTMA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PG-LHSOF-4 IMTA65R060M2HXTMA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PG-LHSOF-4 IMTA65R040M2HXTMA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PG-TO247-4 IMZA65R050M2HXKSA1
- Infineon IMZA65 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PG-TO247-4 IMZA65R060M2HXKSA1
- Infineon IMZA65 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PG-TO247-4 IMZA65R010M2HXKSA1
- Infineon IMZA65 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PG-TO247-4 IMZA65R026M2HXKSA1