Infineon IGLR65 Type N-Channel MOSFET, 13 A, 650 V Enhancement, 8-Pin PG-TSON-8 IGLR65R140D2XUMA1
- RS Stock No.:
- 351-876
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGLR65R140D2XUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB672.94
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB720.045
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 4,995 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB134.588 | THB672.94 |
| 50 - 95 | THB127.858 | THB639.29 |
| 100 + | THB118.458 | THB592.29 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 351-876
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGLR65R140D2XUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 13A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | PG-TSON-8 | |
| Series | IGLR65 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.17Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 1.8nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 47W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC for Industrial Applications | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 13A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type PG-TSON-8 | ||
Series IGLR65 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.17Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.8nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 47W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals JEDEC for Industrial Applications | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
The Infineon GaN power transistor allows for increased efficiency at high-frequency operation. As part of the CoolGaN 650 V G5 family, it meets the highest quality standards, enabling highly reliable designs with superior efficiency. Housed in a bottom-side cooled ThinPAK package, it is well-suited for consumer and industrial applications with slim form factors.
650 V e-mode power transistor
Ultrafast switching
No reverse-recovery charge
Capable of reverse conduction
Low gate charge, low output charge
Superior commutation ruggedness
Low dynamic RDS(on)
High ESD robustness: 2 kV HBM - 1 kV CDM
Bottom-side cooled package
JEDEC qualified (JESD47, JESD22)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IGLR65 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PG-TSON-8 IGLR65R200D2XUMA1
- Infineon IGLR65 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PG-TSON-8 IGLR65R270D2XUMA1
- Infineon CoolGaN G5 Type N-Channel Single MOSFETs 650 V Enhancement, 8-Pin PG-TSON-8 IGL65R140D2XUMA1
- Infineon CoolGaN G5 Type N-Channel Single MOSFETs 650 V Enhancement, 8-Pin PG-TSON-8 IGL65R080D2XUMA1
- Infineon CoolGaN G5 Type N-Channel Single MOSFETs 650 V Enhancement, 8-Pin PG-TSON-8 IGL65R055D2XUMA1
- Infineon CoolGaN G5 Type N-Channel Single MOSFETs 650 V Enhancement, 8-Pin PG-TSON-8 IGL65R110D2XUMA1
- Infineon ISC Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 8-Pin PG-TSON-8 ISC130N20NM6ATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PG-TSON-8 IQE046N08LM5ATMA1