Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET, 5.4 A, 1700 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247-3-STD-NN4.8 IMWH170R1K0M1XKSA1
- RS Stock No.:
- 349-108
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IMWH170R1K0M1XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB459.68
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB491.86
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 240 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | THB229.84 | THB459.68 |
| 20 - 198 | THB206.83 | THB413.66 |
| 200 - 998 | THB190.75 | THB381.50 |
| 1000 - 1998 | THB177.14 | THB354.28 |
| 2000 + | THB158.585 | THB317.17 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 349-108
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IMWH170R1K0M1XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1700V | |
| Series | CoolSiC | |
| Package Type | PG-TO-247-3-STD-NN4.8 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 880mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 70W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 15 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 5.5nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1700V | ||
Series CoolSiC | ||
Package Type PG-TO-247-3-STD-NN4.8 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 880mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 70W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 15 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.5nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Infineon CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET is a high performance silicon carbide MOSFET designed for efficient power switching. It is 12 V / 0 V gate-source voltage compatible, making it suitable for use with most flyback controllers. Featuring a benchmark gate threshold voltage (VGS(th)) of 4.5 V, it ensures reliable and efficient switching performance in a wide range of power applications. This MOSFET is an excellent choice for systems requiring high voltage operation and enhanced energy efficiency.
Very low switching losses
Fully controllable dv/dt for EMI optimization
The .XT interconnection technology for best in class thermal performance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 1700 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247-3-STD-NN4.8 IMWH170R450M1XKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 1700 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247-3-STD-NN4.8 IMWH170R650M1XKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AIMZH120R080M1TXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AIMZH120R120M1TXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AIMZH120R040M1TXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AIMZH120R060M1TXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AIMZH120R030M1TXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AIMZH120R010M1TXKSA1