Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET, 5.4 A, 1700 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247-3-STD-NN4.8 IMWH170R1K0M1XKSA1

RS Stock No.:: 349-108
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IMWH170R1K0M1XKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET, 5.4 A, 1700 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247-3-STD-NN4.8 IMWH170R1K0M1XKSA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB459.68

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB491.86

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

240 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 11 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 18	THB229.84	THB459.68
20 - 198	THB206.83	THB413.66
200 - 998	THB190.75	THB381.50
1000 - 1998	THB177.14	THB354.28
2000 +	THB158.585	THB317.17

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 349-108
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IMWH170R1K0M1XKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	5.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1700V
	Package Type	PG-TO-247-3-STD-NN4.8
	Series	CoolSiC
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	880mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	70W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	5.5nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 5.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1700V
	Package Type PG-TO-247-3-STD-NN4.8
	Series CoolSiC
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 880mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 70W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.5nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IMWH170R1K0M1XKSA1

COO (Country of Origin):: CN

Infineon CoolSiC Series MOSFET, 1700V Drain Source Voltage, 5.4A Continuous Drain Current - IMWH170R1K0M1XKSA1

This MOSFET is a silicon carbide N-channel enhancement device designed for high-voltage power switching in demanding electronic systems. It operates across a wide temperature span and mounts via through-hole to provide robust thermal contact and straightforward assembly in power modules and discrete boards.

Features and Benefits:

• 1700V maximum drain-source voltage enables high-voltage switching
• 5.4A continuous drain current supports moderate power loads
• 70W maximum power dissipation manages substantial thermal stress
• 880 mΩ drain-source resistance reduces conduction losses
• 5.5 nC typical gate charge allows fast gate transitions
• 15V gate-source limit protects gate-drive circuitry

Applications

• Suitable for high-voltage power converters
• Ideal for industrial motor-drive front-ends
• Used with battery management in high-voltage systems
• Can be used for renewable-energy inverter stages
• Suitable for laboratory power supplies and test rigs

What mounting method does it require for installations?

It uses a through-hole package which is compatible with hand soldering and wave-solder assembly and offers solid mechanical anchoring for heatsinking arrangements.

How does the device cope with elevated ambient temperatures?

The component is specified to operate from -55 °C up to 175 °C, allowing use in environments with wide thermal variation and permitting designs with conservative derating for lifetime.

What electrical polarity and control mode should designers expect?

It is an N-channel device operating in enhancement mode, requiring a positive gate-source drive relative to the source to switch on.

Are there any regulatory material restrictions relevant to procurement?

The part is manufactured to be RoHS-compliant, meeting restrictions on certain hazardous substances for electronic components.