Infineon IGLT65 N-Channel MOSFET, 67 A, 650 V Enhancement, 16-Pin PG-HDSOP-16 IGLT65R025D2AUMA1

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB456.86

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB488.84

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB456.86
10 - 99THB411.14
100 +THB379.28

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
351-891
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IGLT65R025D2AUMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

67A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

PG-HDSOP-16

Series

IGLT65

Mount Type

Surface

Pin Count

16

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.053Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

219W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

11nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

JEDEC for Industrial Applications

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
MY
The Infineon GaN power transistor allows for increased efficiency at high-frequency operation. As part of the CoolGaN 650 V G5 family, it meets the highest quality standards, enabling highly reliable designs with superior efficiency. Housed in a top-side cooled TOLT package, it is designed for optimal power dissipation in various industrial applications.

650 V e-mode power transistor

Ultrafast switching

No reverse-recovery charge

Capable of reverse conduction

Low gate charge, low output charge

Superior commutation ruggedness

Low dynamic RDS(on)

High ESD robustness: 2 kV HBM - 1 kV CDM

Top-side cooled package

JEDEC qualified (JESD47, JESD22)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง