Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 Type N-Channel MOSFET, 44 A, 650 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R057M1HXUMA1

RS Stock No.:: 284-726
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IMT65R057M1HXUMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 Type N-Channel MOSFET, 44 A, 650 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R057M1HXUMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB471.06

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB504.03

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

100 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 9	THB471.06
10 - 99	THB424.05
100 - 499	THB390.90
500 - 999	THB362.69
1000 +	THB325.09

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 284-726
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IMT65R057M1HXUMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	44A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	CoolSiC MOSFET 650 V G1
	Package Type	PG-HSOF-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	23 V
	Maximum Power Dissipation Pd	203W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	28nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 44A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series CoolSiC MOSFET 650 V G1
	Package Type PG-HSOF-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 23 V
	Maximum Power Dissipation Pd 203W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IMT65R057M1HXUMA1

The Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 showcases Advanced silicon carbide technology, meticulously designed for high performance and reliability in demanding applications. Capitalising on over two decades of optimisation, this MOSFET delivers exceptional efficiency and ease of use, making it an Ideal choice for various implementations, including solar inverters and electric vehicle charging systems. Its robust features ensure reliable operation in high temperature environments, paving the way for more Compact and efficient power designs. Enhanced with a fast body diode and superior gate oxide reliability, this product stands out in its category, offering a unique balance of performance and user friendliness. Perfect for engineers striving for excellence within power supply circuits, this MOSFET embodies innovation and reliability, setting a new Benchmark in the industry.

Optimised for high current switching

Enhanced avalanche capability for robustness

Compatible with standard drivers for flexibility

Kelvin source configuration reduces switching losses

High performance and reliability combined

Ideal for continuous hard commutation

Compact design enhances power density

Qualified for industrial applications per JEDEC standards

Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 Type N-Channel MOSFET, 44 A, 650 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R057M1HXUMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง