Infineon FZ1200 Type P-Channel MOSFET, 1.2 kA, 4500 V Depletion Tray FZ1200R45HL4S7BPSA1

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่าย
RS จะไม่สต็อกสินค้านี้อีกต่อไป
RS Stock No.:
277-199
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FZ1200R45HL4S7BPSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

1.2kA

Maximum Drain Source Voltage Vds

4500V

Series

FZ1200

Package Type

Tray

Mount Type

Chassis

Channel Mode

Depletion

Forward Voltage Vf

2.95V

Maximum Power Dissipation Pd

2400kW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
HU
The Infineon IGBT Module is a IHV-B 4500 V, 1200 A 190 mm single switch IGBT Module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode and isolated AlSiC Base Plate. The best solution for your industry applications.

High power density

For compact inverter designs

Standardized housing

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง