onsemi NXH Dual Silicon N/P-Channel MOSFET, 800 A, 1200 V, 11-Pin PIM11 NXH800H120L7QDSG

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB10,785.85

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB11,540.86

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 24 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 +THB10,785.85

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
277-059
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
NXH800H120L7QDSG
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Channel Type

N, P

Maximum Continuous Drain Current

800 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Package Type

PIM11

Series

NXH

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

11

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

Silicon

COO (Country of Origin):
CN
The ON Semiconductor Half Bridge IGBT Power Module features integrated Field Stop Trench 7 IGBTs and Gen. 7 diodes, providing lower conduction and switching losses. This design enables high efficiency and superior reliability. The module is configured as a 1200V, 800A 2-in-1 half-bridge, making it ideal for applications that require robust performance and optimal power conversion efficiency.

NTC thermistor
Isolated base plate
Solderable pins
Low inductive layout
Pb free

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง