ROHM BSS Type N-Channel MOSFET, 60 V Enhancement, 3-Pin SST-3 BSS670AHZGT116
- RS Stock No.:
- 264-577
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSS670AHZGT116
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 50 ชิ้น)*
THB290.95
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB311.30
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,950 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | THB5.819 | THB290.95 |
| 500 - 950 | THB5.532 | THB276.60 |
| 1000 - 2450 | THB5.116 | THB255.80 |
| 2500 - 4950 | THB4.711 | THB235.55 |
| 5000 + | THB4.542 | THB227.10 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 264-577
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSS670AHZGT116
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SST-3 | |
| Series | BSS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.68Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 350mW | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SST-3 | ||
Series BSS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.68Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 350mW | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ROHM Small Signal MOSFET for Automotive N channel with 60V 650mA MOSFET and ESD protection diode are included in the SST3 package. This product is ideal for switching circuits and low-side load switch, relay driver applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
Very fast switching
Ultra low voltage drive 2.5V drive
ESD protection up to 2kV HBM
Pb-free lead plating and RoHS compliant
Halogen Free
AEC-Q101 Qualified
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM BSS Type N-Channel MOSFET 3-Pin SOT-323 BSS138WAHZGT106
- Infineon BSS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon BSS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS159NH6906XTSA1
- Infineon BSS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin SOT-89
- Infineon BSS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon BSS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-323
- Infineon BSS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin SOT-89 BSS225H6327FTSA1
- Infineon BSS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS670S2LH6433XTMA1
