ROHM SCT Type N-Channel MOSFET, 24 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 SCT4062KWATL
- RS Stock No.:
- 264-592
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT4062KWATL
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 5 ชิ้น)*
THB1,740.74
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,862.59
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB348.148 | THB1,740.74 |
| 50 - 95 | THB330.73 | THB1,653.65 |
| 100 + | THB306.386 | THB1,531.93 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 264-592
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT4062KWATL
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 24A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | SCT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 124mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±21 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 93W | |
| Forward Voltage Vf | 3.3V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 54nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 24A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series SCT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 124mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±21 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 93W | ||
Forward Voltage Vf 3.3V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 54nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM 1200V 24A silicon carbide SiC trench MOSFET in a 7-pin SMD package offers high voltage resistance, low on-resistance, and fast switching speed.
Low on-resistance
Fast switching speed
Fast reverse recovery
Easy to parallel
Simple to drive
Pb-free lead plating and RoHS compliant
Wide creep age distance equal to min. 4.7mm
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263-7LA SCT4062KWAHRTL
- ROHM SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- ROHM SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- ROHM SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 SCT3080KW7TL
- ROHM SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- ROHM SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 SCT3105KW7TL
- ROHM SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 SCT3160KW7TL
- ROHM SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263-7LA SCT3160KWATL