ROHM SCT Type N-Channel MOSFET, 24 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263-7LA SCT4062KWAHRTL
- RS Stock No.:
- 264-886
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT4062KWAHRTL
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB348.35
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB372.73
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 1,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB348.35 |
| 10 - 99 | THB313.71 |
| 100 - 499 | THB288.97 |
| 500 - 999 | THB268.19 |
| 1000 + | THB217.72 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 264-886
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT4062KWAHRTL
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 24A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Series | SCT | |
| Package Type | TO-263-7LA | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 81mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 3.3V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 64nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 21 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 93W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 24A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Series SCT | ||
Package Type TO-263-7LA | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 81mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 3.3V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 64nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 21 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 93W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ROHM Silicon-carbide (SiC) MOSFET features a high voltage resistance, low ON resistance, and fast switching speed.
Qualified to AEC-Q101
Low on-resistance
Fast switching speed
Fast reverse recovery
Easy to parallel
Simple to drive
Pb-free lead plating and RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263-7LA SCT3160KWATL
- ROHM SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263-7LA SCT3160KWAHRTL
- ROHM SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 SCT4062KWATL
- ROHM SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- ROHM SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- ROHM SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 SCT3080KW7TL
- ROHM SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- ROHM SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 SCT3105KW7TL