ROHM UT6 2 Type N-Channel MOSFET, 100 V Enhancement, 8-Pin HUML2020L8 UT6KE5TCR
- RS Stock No.:
- 264-564
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- UT6KE5TCR
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 25 ชิ้น)*
THB383.375
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB410.20
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 2,725 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 11 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | THB15.335 | THB383.38 |
| 100 - 225 | THB14.563 | THB364.08 |
| 250 - 475 | THB13.483 | THB337.08 |
| 500 - 975 | THB12.428 | THB310.70 |
| 1000 + | THB11.965 | THB299.13 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 264-564
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- UT6KE5TCR
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | UT6 | |
| Package Type | HUML2020L8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 207mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 2.8nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series UT6 | ||
Package Type HUML2020L8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 207mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.8nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM 100V 2.0A dual N-channel power MOSFET in a DFN2020-8D package features low on-resistance, making it ideal for switching applications and DC/DC converters. It integrates two 100V MOSFETs in a compact surface-mount design.
Low on-resistance
Small Surface Mount Package
Pb-free plating and RoHS compliant
Halogen Free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM UT6 2 Type P 100 V Enhancement, 8-Pin HUML2020L8 UT6ME5TCR
- ROHM Pch+Pch UT6 2 Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin HUML2020L8 UT6JE5TCR
- ROHM RF4P060BG Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin HUML2020L8 RF4P060BGTCR
- ROHM QH8 2 Type N-Channel MOSFET 8-Pin TSMT-8 QH8KE5TCR
- ROHM QS8 2 Type N 100 V Enhancement, 8-Pin TSMT-8 QS8M51HZGTR
- ROHM Nch+Nch HP8K 2 Type N-Channel MOSFET 8-Pin HSOP-8 HP8KE7TB1
- ROHM Dual (Nch+Pch) HP8K 2 Type N 100 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 HP8ME5TB1
- ROHM RF4G100BG Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin HUML2020L8