ROHM QH8 2 Type N-Channel MOSFET, 100 V Enhancement, 8-Pin TSMT-8 QH8KE5TCR
- RS Stock No.:
- 264-562
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- QH8KE5TCR
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 25 ชิ้น)*
THB338.45
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB362.15
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 3,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | THB13.538 | THB338.45 |
| 100 - 225 | THB12.865 | THB321.63 |
| 250 - 475 | THB11.915 | THB297.88 |
| 500 - 975 | THB10.965 | THB274.13 |
| 1000 + | THB10.569 | THB264.23 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 264-562
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- QH8KE5TCR
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | QH8 | |
| Package Type | TSMT-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 202mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.5W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 2.8nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series QH8 | ||
Package Type TSMT-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 202mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.5W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.8nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM 100V 2.0A dual N-channel power MOSFET in a TSMT8 package is designed for high-efficiency switching power supply and motor drive applications.
Low on-resistance
Small Surface Mount Package TSMT8
Pb-free plating and RoHS compliant
Halogen Free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM QS8 2 Type N 100 V Enhancement, 8-Pin TSMT-8 QS8M51HZGTR
- ROHM QH8KC6 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TSMT-8 QH8KC6TCR
- ROHM QH8KC5 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TSMT-8 QH8KC5TCR
- ROHM QH8KB5 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TSMT-8 QH8KB5TCR
- ROHM QH8KB6 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TSMT-8 QH8KB6TCR
- ROHM QH8MC5 Type N 3.5 A 8-Pin TSMT-8 QH8MC5TCR
- ROHM QH8MB5 Type P 5 A 8-Pin TSMT-8 QH8MB5TCR
- ROHM RQ1 Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin TSMT-8 RQ1E050RPHZGTR