onsemi NTD N-Channel MOSFET & Diode, 13 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 NTD280N60S5Z
- RS Stock No.:
- 220-565
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTD280N60S5Z
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 50 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB270.60
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 5 ชิ้น)*
THB542.65
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB580.65
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 2,475 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | THB108.53 | THB542.65 | - |
| 50 - 95 | THB103.118 | THB515.59 | THB270.60 |
| 100 - 495 | THB95.546 | THB477.73 | THB1,298.40 |
| 500 - 995 | THB87.974 | THB439.87 | THB10,278.00 |
| 1000 + | THB84.728 | THB423.64 | THB23,802.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 220-565
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTD280N60S5Z
- ผู้ผลิต:
- onsemi
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET & Diode | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 13A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | NTD | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 224mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 89W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 17.9nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, Pb-Free, 100% Avalanche Tested | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET & Diode | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 13A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series NTD | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 224mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 89W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17.9nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS, Pb-Free, 100% Avalanche Tested | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NTD N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 NTD20N03L27T4G
- onsemi NTD N-Channel MOSFET 1.2 kV, 5-Pin TO-252 NTD5C632NLT4G
- onsemi SUPERFET III N-Channel MOSFET & Diode 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- onsemi SUPERFET III N-Channel MOSFET & Diode 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 NTD360N80S3Z
- onsemi SUPERFET III N-Channel MOSFET & Diode 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- onsemi SUPERFET III N-Channel MOSFET & Diode 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 NTPF360N80S3Z
- Infineon IPD50R N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60R180C7ATMA1
- ROHM R6013VND3 NaN N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6013VND3TL1
