Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET, 325 A, 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R0-40SSHJ
- RS Stock No.:
- 219-472
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PSMN1R0-40SSHJ
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB128.16
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB137.13
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 9 | THB128.16 |
| 10 - 99 | THB115.29 |
| 100 - 499 | THB106.38 |
| 500 - 999 | THB98.47 |
| 1000 + | THB88.57 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 219-472
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PSMN1R0-40SSHJ
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 325A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | PSM | |
| Package Type | LFPAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 375W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 10 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 137nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 8mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 8 mm | |
| Height | 1.6mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 325A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series PSM | ||
Package Type LFPAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 375W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 10 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 137nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 8mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 8 mm | ||
Height 1.6mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Nexperia N-Channel MOSFET features NextPowerS3 portfolio utilising NXP's unique SchottkyPlus technology delivers high efficiency, low spiking performance usually associated with MOSFETS with an integrated Schottky or Schottky-like diode but without problematic high leakage current. NextPowerS3 is particularly suited to high efficiency applications at high switching frequencies.
Low parasitic inductance and resistance
Avalanche rated
Wave solder able
Superfast switching with soft recovery
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R0-40SSHJ
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMNR70-40SSHJ
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R0-25YLDX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R0-40YLDX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R0-30YLDX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R0-30YLEX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN6R0-25YLDX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement115