Nexperia NextPower-S3 Schottky-Plus technology Type N-Channel MOSFET, 290 A, 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK
- RS Stock No.:
- 219-337
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PSMN1R0-40YSHX
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1500 ชิ้น)*
THB131,604.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB140,817.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 1,500 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1500 + | THB87.736 | THB131,604.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 219-337
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PSMN1R0-40YSHX
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 290A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | NextPower-S3 Schottky-Plus technology | |
| Package Type | LFPAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 87nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 333W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 290A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series NextPower-S3 Schottky-Plus technology | ||
Package Type LFPAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 87nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 333W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
The Nexperia N-Channel MOSFET features Advanced TrenchMOS Super junction technology. This product has been designed and qualified for high performance power switching applications. It is designed for high-performance applications, including synchronous rectification, DC-to-DC converters, server power supplies, brushless DC motor control, battery protection, and load-switch/eFuse solutions. It offers high efficiency and reliable performance across a wide range of power management tasks.
Low parasitic inductance and resistance
High reliability clip bonded and solder die attach Power SO8 package
Wave solder able
Superfast switching with soft recovery
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Nexperia NextPower-S3 Schottky-Plus technology Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK
- Nexperia NextPower-S3 Schottky-Plus Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R4-40YSHX
- Nexperia NextPower-S3 technology Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R4-40YLDX
- Nexperia NextPower Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN012-100YSFX
- Nexperia NextPower Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN015-100YSFX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R0-40YLDX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R0-30YLDX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R0-25YLDX