Nexperia NSF060120D7A0 N-Channel MOSFET, 38.27 A, 1.2 kV Enhancement, 7-Pin TO-263 NSF060120D7A0J
- RS Stock No.:
- 219-446
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NSF060120D7A0J
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB621.48
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB664.98
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 778 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 9 | THB621.48 |
| 10 - 99 | THB559.13 |
| 100 + | THB515.59 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 219-446
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NSF060120D7A0J
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 38.27A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1.2kV | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | NSF060120D7A0 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 60mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 57nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 167W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 38.27A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV | ||
Package Type TO-263 | ||
Series NSF060120D7A0 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 60mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 57nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 167W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Nexperia SiC Power MOSFET comes in a compact 7-pin TO-263 plastic package for surface mounting on PCBs. Its excellent RDS(on) temperature stability and fast switching speed make it ideal for high-power, high-voltage industrial applications, including electric vehicle charging infrastructure, photovoltaic inverters, and motor drives.
Fast reverse recovery
Fast switching speed
Temperature independent turn off switching losses
Very fast and robust intrinsic body diode
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Nexperia NSF030120D7A0 N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 7-Pin TO-263 NSF030120D7A0J
- ROHM N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 7-Pin TO-263
- ROHM N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 7-Pin TO-263
- ROHM N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 7-Pin TO-263
- Wolfspeed C3M N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 7-Pin TO-263
- ROHM SCT N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 7-Pin TO-263
- ROHM SCT N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 7-Pin TO-263
- ROHM SCT N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 7-Pin TO-263