Nexperia NSF030120D7A0 N-Channel MOSFET, 67 A, 1.2 kV Enhancement, 7-Pin TO-263 NSF030120D7A0J
- RS Stock No.:
- 219-443
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NSF030120D7A0J
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB967.85
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,035.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 800 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 9 | THB967.85 |
| 10 - 99 | THB870.86 |
| 100 + | THB803.08 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 219-443
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NSF030120D7A0J
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 67A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1.2kV | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | NSF030120D7A0 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 30mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 113nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 306W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 67A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV | ||
Package Type TO-263 | ||
Series NSF030120D7A0 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 30mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 113nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 306W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Nexperia SiC Power MOSFET comes in a compact 7-pin TO-263 plastic package for surface mounting on PCBs. Its excellent RDS(on) temperature stability and fast switching speed make it ideal for high-power, high-voltage industrial applications, including electric vehicle charging infrastructure, photovoltaic inverters, and motor drives.
Fast reverse recovery
Fast switching speed
Temperature independent turn off switching losses
Very fast and robust intrinsic body diode
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Nexperia N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 4-Pin TO-247 NSF030120L4A0Q
- Nexperia NSF060120D7A0 N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 7-Pin TO-263 NSF060120D7A0J
- ROHM N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 7-Pin TO-263
- ROHM N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 7-Pin TO-263
- ROHM N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 7-Pin TO-263
- Wolfspeed C3M N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 7-Pin TO-263
- ROHM SCT N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 7-Pin TO-263
- ROHM SCT N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 7-Pin TO-263
