Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET, 300 A, 25 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMNR60-25YLHX
- RS Stock No.:
- 219-299
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PSMNR60-25YLHX
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB53.34
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB57.07
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 1,500 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 9 | THB53.34 |
| 10 - 99 | THB48.15 |
| 100 - 499 | THB44.34 |
| 500 - 999 | THB41.22 |
| 1000 + | THB36.72 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 219-299
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PSMNR60-25YLHX
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 300A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 25V | |
| Series | PSM | |
| Package Type | LFPAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 268W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 4.5 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 43nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 300A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 25V | ||
Series PSM | ||
Package Type LFPAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 268W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 4.5 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 43nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
The Nexperia N-Channel MOSFET is optimized for low RDSon, low IDSS leakage even at high temperatures, high efficiency, and high current handling. It is Ideal for DC load switch and hot-swap applications. Key uses include hot-swap, e-fuse, power OR-ing, DC/load switching, battery protection, and brushed/BLDC motor control.
Copper clip for low parasitic inductance and resistance
High reliability LFPAK package
Qualified to 175 °C
Wave solder able
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMNR60-25YLHX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMNR51-25YLHX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN0R9-25YLDX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMNR90-40YLHX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R0-30YLDX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN6R0-25YLDX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement115
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN2R6-80YSFX