Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET, 179 A, 25 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN2R0-25YLDX
- RS Stock No.:
- 219-442
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PSMN2R0-25YLDX
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB35.13
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB37.59
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,500 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 9 | THB35.13 |
| 10 - 99 | THB31.67 |
| 100 - 499 | THB29.19 |
| 500 - 999 | THB27.21 |
| 1000 + | THB24.25 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 219-442
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PSMN2R0-25YLDX
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 179A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 25V | |
| Package Type | LFPAK | |
| Series | PSM | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.09mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 10 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 34.1nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 115W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 179A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 25V | ||
Package Type LFPAK | ||
Series PSM | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.09mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 10 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 34.1nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 115W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
The Nexperia N-Channel MOSFET features NextPowerS3 portfolio utilising NXP's unique SchottkyPlus technology delivers high efficiency, low spiking performance usually associated with MOSFETS with an integrated Schottky or Schottky-like diode but without problematic high leakage current. NextPowerS3 is particularly suited to high efficiency applications at high switching frequencies.
Low parasitic inductance and resistance
High reliability clip bonded and solder die attach Power SO8 package
Superfast switching with soft recovery
Qualified to 175 °C
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN2R0-25YLDX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement115
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN2R0-30YLDX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN2R0-100SSFJ
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN2R0-25MLDX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN2R0-40YLBX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN6R0-25YLDX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R0-25YLDX
