DiodesZetex Dual ZXMS6008N8 2 N-Channel MOSFET, 0.9 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 ZXMS6008DN8Q-13
- RS Stock No.:
- 216-350
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ZXMS6008DN8Q-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB29.94
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB32.04
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 2,480 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 14 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB29.94 |
| 10 - 99 | THB27.22 |
| 100 - 499 | THB25.17 |
| 500 - 999 | THB23.11 |
| 1000 + | THB19.03 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 216-350
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ZXMS6008DN8Q-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 0.9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | ZXMS6008N8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 800mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.13W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Width | 6mm | |
| Length | 4.9mm | |
| Standards/Approvals | RoHS, Antimony-Free | |
| Height | 1.45mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 0.9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series ZXMS6008N8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 800mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.13W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Width 6mm | ||
Length 4.9mm | ||
Standards/Approvals RoHS, Antimony-Free | ||
Height 1.45mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The DiodesZetex MOSFET is a dual self protected low side IntelliFET MOSFET with logic level input. It integrates over temperature, overcurrent, overvoltage and ESD protected logic level functionality. It is ideal as a general purpose switch driven from 3.3V or 5V microcontrollers in harsh environments where standard MOSFETs are not rugged enough.
Compact high power dissipation package
Low input current
Short circuit protection with auto restart
Overvoltage protection
Thermal shutdown with auto restart
Overcurrent protection
Input ESD protection
High continuous current rating
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex Dual ZXMS6008DN8 2 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 ZXMS6008DN8-13
- DiodesZetex ZXMS6008DN8 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 ZXMS6008N8-13
- DiodesZetex Dual 2 N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060
- DiodesZetex Dual DMT 2 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Dual 2 N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060 DMTH6016LPD-13
- DiodesZetex Dual DMT 2 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMTH6016LSD-13
- DiodesZetex Dual DMTH4008LPDW 1 N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060
- DiodesZetex Dual DMTH4008LPDWQ 1 N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060